レーザ導入窓,レーザ入射用窓
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LIWシリーズ PLD/レーザーMBE用
レーザ導入窓（UVグレード合成石英）
LIWシリーズ レーザ入射用窓は真空内にレーザを導入するICF規格のUVレーザ対応の合成石英窓です。利便性、ご使用の真空度により、ご選択いただきます。
接続フランジ ICF70
LIW-70L
O-ring（バイトン）シール式
真空度 ： 5×10-7Torr〜5×10-8Torr
真空度 ： 5×10-7Torr〜5×10-8Torr
LIW-70U
メタルガスケットシール式
ベーキング温度 ： 200℃
真空度 ： 1×10-11Torr
ベーキング温度 ： 200℃
真空度 ： 1×10-11Torr
LIW-70X
メタルガスケットシール式
ベーキング温度 ： 350℃
ヘリウムリーク量 ： 1×10-11pa・㎥/sec
ベーキング温度 ： 350℃
ヘリウムリーク量 ： 1×10-11pa・㎥/sec
接続フランジ ICF114
LIW-114L
O-ringシール式
真空度 ： 5×10-7Torr〜5×10-8Torr
真空度 ： 5×10-7Torr〜5×10-8Torr
LIW-114U
メタルガスケットシール式
ベーキング温度 ： 200℃
真空度 1×10-11Torr
ベーキング温度 ： 200℃
真空度 1×10-11Torr
LIW-114X
メタルガスケットシール式
ベーキング温度 ： 350℃
ヘリウムリーク量 ： 1×10-11pa・㎥/sec
ベーキング温度 ： 350℃
ヘリウムリーク量 ： 1×10-11pa・㎥/sec
ご要望に応じます
・AR（反射防止膜）コート対応可能。
UV（エキシマ・YAG）レーザの戻り光による減衰防止や
赤外波長（半導体・YAG・ファイバー）レーザー加熱用としてご愛用頂いております。
・大型サイズ、ICF152もしくはそれ以上、VFフランジ、矩形等ICF規格以外の対応も行います。
>>次のオプション
その他オプション
SiC基板加熱機構 | レーザ導入窓 | トランスファー機構 | ビューポート付ハッチ
パターンプレート機構 | タッチパネル式プロセス機構 | 膜厚計 | バイアス/逆スパッタ
分子セル/抵抗過熱蒸着 | イオンソース | ラジカルビーム源 | グローブボックス連結
真空対応パスボックス
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- ■ グローブボックス連結
- −グローブボックス連結
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- −真空対応パスボックス
■ 17/02/06
【展示会出展のお知らせ】
2017/3/14（火）〜17（金）までパシフィコ横浜で開催される『2017年 第64回 応用物理学会春季学術講演会』の併設展示ブースに出展いたします。
■ 15/03/05
【展示会出展のお知らせ】
2015/3/11（水）〜14（土）まで東海大学湘南キャンパスで開催される『2015年 第62回 応用物理学会春季学術講演会』の併設展示ブースに出展いたします。
■ 14/06/09
【展示会出展のお知らせ】
2014/9/17（水）〜20（土）まで北海道大学札幌キャンパスで開催される『2014年 第75回 応用物理学会秋季学術講演会』の併設展示ブースに出展いたします。
■ 09/12/10
【NIMNOWの表紙に
弊社装置が掲載】
独立行政法人 物質・材料研究機構の広報誌、NIMSNOWの表紙にご掲載されました。
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