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真空装置

ロードロック式多元マグネトロンスパッタ装置

ロードロック式
  多元マグネトロンスパッタ装置

ロードロック式多元マグネトロンスパッタ装置は研究・実験用薄膜作成用の多元マグネトロンスパッタ装置です。 同時に最大4器のスパッタガンを装着でき、ロードロックチャンバーにより、 製膜室を大気に曝さずに基板交換が行えます。


ロードロック式多元マグネトロンスパッタ装置
Al2O3材料スパッタ

ロードロック式多元マグネトロンスパッタ装置
Cu材料スパッタ

主な仕様
真空性能
到達真空度5x10-6Pa以下
  
排気系
製膜室 350L/sec TMP、250L/minロータリーポンプ(アイソレイトバルブ付)  LL室 50L/sec TMP、90L/minロータリーポンプ(アイソレイトバルブ付)
ターゲット材料
金属、シリカガラス、セラミックス
誘電材料等(磁性体もご相談に応じます)
スパッタターゲットサイズ
φ2inch, 厚さ6mmまで対応可
(φ1inchターゲットも対応可)
スパッタ方式
マグネトロンスパッタ方式
スパッタヘッド(カソード)
基板・ターゲット間距離中心位置より中心に±20mm可変可能
基板温度
基板ホルダー面上500℃以上(800℃以上も対応可)
基板サイズ
最大φ2inch(各基板対応可能)
ロードロック式多元マグネトロンスパッタ装置 構成内容
スパッタターゲット機構
方式       :マグネトロンスパッタ方式
ターゲットサイズ:φ2インチ
ターゲット厚さ  :t6mm以下
ターゲットガン  :3器設置(切り替え式)
    -オプションにより最大4器
冷却方式     :銅バッキングプレート
    -ボンディングによる水冷(間接)方式
スパッタガン距離:基板・ターゲット間
   距離基準位置を中心に±20mm可変
基板回転加熱機構
最大加熱温度  :500℃以上
           基板ホルダー面上
           (800℃以上も対応可)
  基板サイズ  :φ2インチ
  温度制御   :PIDコントローラ式
           シース熱電対
  基板回転   :自動回転式0〜10回/分
  基板シャッター:基板面保護用
真空計
フルレンジゲージ:製膜室、LL室
  (コールドカソードピラニーゲージ)
成膜室
円柱状:約φ350mm
      高さ:約600mm
      *サイズ、ご相談に応じます。
ロードロック室
基板カセット:3段
マグネットカップリング式トランスファーロッド
RF電源
投入電力:300W(13.56MHz)
整合器 :手動及び自動同調整合器付属
プロセスガス導入系
Ar用マスフローコントローラ標準
酸素、窒素増設可能 上記より選択
オプション
  • ・膜厚計
        センサ方式:水晶振動子蒸着制御器
        モニター用コントローラ
  • ・パターンプレート機構
        製膜パターン、膜厚傾斜作成
  • ・バイアススパッタ(逆スパッタ)
        薄膜の自然酸化、カーボンの除去、クリーニングに使用します。
  • ・タッチパネル式コントロール
スパッタガン仕様
5KW電子ビーム
・銅BP(バッキングプレート)
 ボンディング式(間接水冷方式)
・ボンディングは、ハンダ、拡散接合対応可
・O-リングクランプ方式(UHV仕様変更可)

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先端的なレーザー・光学技術と真空技術を融合し、新薄膜生成システム、精密加工システムを仕様用途に応じてカスタマイズすることにより、世界に1台の製品をご提供いたします。

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