主な仕様
排気系
製膜室 350L/sec TMP、250L/minロータリーポンプ(アイソレイトバルブ付)
LL室 50L/sec TMP、90L/minロータリーポンプ(アイソレイトバルブ付)
ターゲット材料
金属、シリカガラス、セラミックス
誘電材料等(磁性体もご相談に応じます)
スパッタターゲットサイズ
φ2inch, 厚さ6mmまで対応可
(φ1inchターゲットも対応可)
スパッタヘッド(カソード)
基板・ターゲット間距離中心位置より中心に±20mm可変可能
基板温度
基板ホルダー面上500℃以上(800℃以上も対応可)
ロードロック式多元マグネトロンスパッタ装置 構成内容
スパッタターゲット機構
方式 :マグネトロンスパッタ方式
ターゲットサイズ:φ2インチ
ターゲット厚さ :t6mm以下
ターゲットガン :3器設置(切り替え式)
-オプションにより最大4器
冷却方式 :銅バッキングプレート
-ボンディングによる水冷(間接)方式
スパッタガン距離:基板・ターゲット間
距離基準位置を中心に±20mm可変
基板回転加熱機構
最大加熱温度 :500℃以上
基板ホルダー面上
(800℃以上も対応可)
基板サイズ :φ2インチ
温度制御 :PIDコントローラ式
シース熱電対
基板回転 :自動回転式0〜10回/分
基板シャッター:基板面保護用
真空計
フルレンジゲージ:製膜室、LL室
(コールドカソードピラニーゲージ)
成膜室
円柱状:約φ350mm
高さ:約600mm
*サイズ、ご相談に応じます。
ロードロック室
基板カセット:3段
マグネットカップリング式トランスファーロッド
RF電源
投入電力:300W(13.56MHz)
整合器 :手動及び自動同調整合器付属
プロセスガス導入系
Ar用マスフローコントローラ標準
酸素、窒素増設可能
上記より選択
オプション
- ・膜厚計
センサ方式:水晶振動子蒸着制御器
モニター用コントローラ
- ・パターンプレート機構
製膜パターン、膜厚傾斜作成
- ・バイアススパッタ(逆スパッタ)
薄膜の自然酸化、カーボンの除去、クリーニングに使用します。
- ・タッチパネル式コントロール
スパッタガン仕様
・銅BP(バッキングプレート)
ボンディング式(間接水冷方式)
・ボンディングは、ハンダ、拡散接合対応可
・O-リングクランプ方式(UHV仕様変更可)