薄膜作成用のマグネトロンスパッタ装置
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SPAR-311マグネトロンスパッタ装置
SPAR-311マグネトロンスパッタ装置は研究・実験用薄膜作成用のマグネトロンスパッタ装置です。
基板回転加熱機構と成膜室､スパッタターゲット機構､ＲＦ電源（もしくはDC/パルスDC電源）プロセスガス系等により構成されております。
Al2O3材料スパッタ
Cu材料スパッタ
主な仕様
真空性能
到達真空度5x10-5Pa以下
排気系
200L/secターボ分子ポンプ
＋200L/minロータリーポンプ（アイソレイトバルブ付）
＋200L/minロータリーポンプ（アイソレイトバルブ付）
ターゲット材料
金属、シリカガラス、セラミックス
誘電材料等（磁性体もご相談に応じます）
誘電材料等（磁性体もご相談に応じます）
スパッタターゲットサイズ
φ2inch, 厚さ6mmまで対応可
（φ1inchターゲットも対応可）
（φ1inchターゲットも対応可）
スパッタ方式
マグネトロンスパッタ方式
スパッタヘッド（カソード）
基板・ターゲット間距離中心位置より中心に±20mm可変可能
基板温度
基板ホルダー面上500℃以上（800℃以上も対応可）
基板サイズ
最大φ2inch（各基板対応可能）
SPAR-311マグネトロンスパッタ装置 構成内容
スパッタターゲット機構
方式 ：マグネトロンスパッタ方式
ターゲットサイズ：φ2インチ
ターゲット厚さ ：t6mm以下
ターゲットガン ：1器設置
-オプションにより最大3器（切替対応）
冷却方式 ：銅バッキングプレート
-ボンディングによる水冷(間接)方式
スパッタガン距離：基板・ターゲット間
距離基準位置を中心に±20mm可変
ターゲットサイズ：φ2インチ
ターゲット厚さ ：t6mm以下
ターゲットガン ：1器設置
-オプションにより最大3器（切替対応）
冷却方式 ：銅バッキングプレート
-ボンディングによる水冷(間接)方式
スパッタガン距離：基板・ターゲット間
距離基準位置を中心に±20mm可変
基板回転加熱機構
最大加熱温度 ：500℃以上
基板ホルダー面上
（800℃以上も対応可）
基板サイズ ：φ2インチ
温度制御 ：PIDコントローラ式
シース熱電対
基板回転 ：自動回転式0〜10回/分
基板シャッター：基板面保護用
基板ホルダー面上
（800℃以上も対応可）
基板サイズ ：φ2インチ
温度制御 ：PIDコントローラ式
シース熱電対
基板回転 ：自動回転式0〜10回/分
基板シャッター：基板面保護用
真空計
フルレンジゲージ
（コールドカソードピラニーゲージ）
（コールドカソードピラニーゲージ）
成膜室
円柱状：約φ260mm
高さ：約500mm
＊サイズ､ご相談に応じます。
高さ：約500mm
＊サイズ､ご相談に応じます。
ターゲット基板間位置確認用ビューポート
ターゲット表面確認用ビューポート
基板表面確認用ビューポート
基板表面確認用ビューポート
RF電源
投入電力：300W（13.56MHz）
整合器 ：手動及び自動同調整合器付属
整合器 ：手動及び自動同調整合器付属
プロセスガス導入系
Ar用マスフローコントローラ標準
酸素、窒素増設可能 上記より選択
酸素、窒素増設可能 上記より選択
オプション
- ・膜厚計
センサ方式：水晶振動子蒸着制御器
モニター用コントローラ - ・パターンプレート機構
製膜パターン、膜厚傾斜作成 - ・バイアススパッタ（逆スパッタ）
薄膜の自然酸化、カーボンの除去、クリーニングに使用します。 - ・タッチパネル式コントロール
スパッタガン仕様
・銅BP（バッキングプレート）
ボンディング式（間接水冷方式）
・ボンディングは、ハンダ、拡散接合対応可
・φ114フランジポートから導入可能
（仕様により変更可能）
・T/S距離可変式（50mm〜150mm）
＊仕様により変更可能
ボンディング式（間接水冷方式）
・ボンディングは、ハンダ、拡散接合対応可
・φ114フランジポートから導入可能
（仕様により変更可能）
・T/S距離可変式（50mm〜150mm）
＊仕様により変更可能
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■ 17/02/06
【展示会出展のお知らせ】
2017/3/14（火）〜17（金）までパシフィコ横浜で開催される『2017年 第64回 応用物理学会春季学術講演会』の併設展示ブースに出展いたします。
■ 15/03/05
【展示会出展のお知らせ】
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■ 14/06/09
【展示会出展のお知らせ】
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■ 09/12/10
【NIMNOWの表紙に
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独立行政法人 物質・材料研究機構の広報誌、NIMSNOWの表紙にご掲載されました。
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